Samsung Electronics mengumumkan langkah penting dengan mulai mengirimkan sampel HBM4E (High Bandwidth Memory 4 Enhanced) pertama di dunia kepada sejumlah pelanggan global.
Setelah sebelumnya berhasil memproduksi dan mengirimkan HBM4 secara massal, perusahaan asal Korea Selatan tersebut kini melanjutkan roadmap inovasinya dengan menghadirkan HBM4E yang menawarkan peningkatan performa, efisiensi daya, dan kapasitas penyimpanan yang lebih besar.
Kehadiran HBM4E diproyeksikan menjadi fondasi penting bagi pengembangan large language model (LLM), komputasi AI skala besar, hingga infrastruktur hyperscale yang membutuhkan bandwidth memori sangat tinggi.
HBM4E Hadir dengan Kecepatan Hingga 16 Gbps
Dikutip dari rilis resminya, salah satu peningkatan terbesar yang ditawarkan Samsung HBM4E terletak pada performa transfer datanya.
Memori terbaru ini mampu menghadirkan kecepatan pin stabil hingga 14 gigabit per detik (Gbps), dengan potensi peningkatan hingga 16 Gbps. Angka tersebut lebih dari 20 persen lebih tinggi dibandingkan generasi HBM4 yang diperkenalkan sebelumnya.
Tak hanya itu, HBM4E juga mampu menyediakan bandwidth memori hingga 3,6 terabyte per detik (TB/s) dalam satu stack. Kapasitas transfer data sebesar ini sangat penting untuk mempercepat proses pelatihan dan inferensi model AI yang semakin kompleks.
Bagi perusahaan teknologi yang mengembangkan model AI generatif dan layanan berbasis kecerdasan buatan, peningkatan bandwidth memori menjadi faktor krusial dalam meningkatkan efisiensi komputasi dan mempercepat pemrosesan data.
Kapasitas Lebih Besar untuk Beban Kerja AI Modern
Samsung memperkenalkan HBM4E pertama dalam konfigurasi 12-layer dengan kapasitas mencapai 48GB.
Kapasitas tersebut meningkat lebih dari 30 persen dibandingkan generasi sebelumnya, memungkinkan sistem AI menangani dataset yang lebih besar dan beban kerja yang lebih kompleks.
Tidak berhenti di situ, Samsung juga mengungkap rencana untuk menghadirkan varian lain sesuai kebutuhan pelanggan, termasuk versi 32GB dengan konfigurasi 8-layer dan model 64GB berbasis 16-layer.
Fleksibilitas ini memungkinkan produsen chip AI dan operator data center memilih konfigurasi memori yang paling sesuai dengan kebutuhan infrastruktur mereka.
Didukung Teknologi Fabrikasi Semikonduktor Tercanggih Samsung
Keunggulan HBM4E tidak hanya berasal dari kapasitas dan kecepatannya, tetapi juga dari teknologi manufaktur yang digunakan.
Samsung memanfaatkan proses DRAM generasi keenam kelas 10 nanometer (1c) yang menjadi salah satu teknologi memori paling canggih di industri saat ini. Selain itu, HBM4E juga menggunakan logic base die berbasis proses fabrikasi 4 nanometer dari Samsung Foundry.
Kombinasi kedua teknologi tersebut memungkinkan Samsung meningkatkan stabilitas produksi, kualitas manufaktur, dan efisiensi proses secara keseluruhan.
Lebih Hemat Energi dan Lebih Dingin
Samsung mengklaim HBM4E mampu menghadirkan peningkatan efisiensi energi hingga 16 persen dibandingkan generasi sebelumnya. Selain itu, karakteristik ketahanan termal juga meningkat lebih dari 14 persen.
Peningkatan tersebut memungkinkan pembuangan panas yang lebih efektif selama menjalankan beban kerja AI yang berat dalam jangka waktu panjang.
Bagi data center yang menjalankan ribuan akselerator AI secara bersamaan, efisiensi daya dan sistem pendinginan yang lebih baik dapat memberikan penghematan biaya operasional yang signifikan sekaligus meningkatkan keandalan sistem.
Samsung menyatakan bahwa pengiriman sampel HBM4E kepada pelanggan global merupakan tahap awal sebelum produksi massal dimulai.
Perusahaan akan melakukan proses optimalisasi bersama mitra industri untuk memastikan performa dan kompatibilitas produk sesuai kebutuhan pasar. Produksi massal akan dilakukan mengikuti jadwal implementasi dari masing-masing pelanggan.
Scr/Mashable
